Bằng cách xếp các bóng bán dẫn theo chiều dọc thay vì nằm phẳng trên bề mặt của chất bán dẫn. Thiết kế chip mới của Samsung và IBM cho phép tăng hiệu suất xử lý trong khi giảm đáng kể mức tiêu thụ năng lượng. Thiết kế mới này được gọi là Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET).
Thiết kế VTFET đã được ứng dụng trên một số con chip tiên tiến nhất hiện nay. Về bản chất, thiết kế mới này xếp chồng các bóng bán dẫn lên nhau, cho phép dòng điện chạy theo chiều lên xuống của chồng bóng bán dẫn thay vì bố cục nằm ngang cạnh nhau mà các nhà sản xuất chip hiện đang sử dụng.
Trong thời gian gần đây, thiết kế theo chiều dọc đã trở thành là xu hướng. Intel là một trong số các nhà sản xuất đã nghiên cứu và đi theo hướng này. Tuy nhiên, thiết kế của Intel tập trung vào việc xếp chồng các thành phần khác nhau của bộ vi xử lý thay vì xếp chồng từng bóng bán dẫn riêng lẻ.
Theo Samsung và IBM, điểm nổi bật của thiết kế VTFET là cải thiện gấp đôi hiệu suất xử lý và giảm tới 85% mức tiêu thụ điện năng. Bằng cách đóng gói nhiều bóng bán dẫn hơn trong một bộ vi xử lý, Samsung và IBM tuyên bố, thiết kế VTFET có thể giúp tiếp tục duy trì Định luật Moore trong tương lai, rằng số lượng bóng bán dẫn trên một vi mạch sẽ tăng gấp đôi sau mỗi hai năm trong khi giá máy tính giảm một nửa.
Samsung và IBM cũng đưa ra những tầm nhìn đầy tham vọng với công nghệ mới, đó là ý tưởng về những chiếc smartphone có thể kéo dài thời lượng sử dụng pin lên đến cả tuần với mỗi một lần sạc.
Với chip mới, các thiết bị di động có thể sử dụng để khai thác tiền mã hóa mà tiêu tốn ít năng lượng hơn, các thiết bị thông minh có thể vận hành mạnh mẽ hơn hay thậm chí con chip này có thể sử dụng cho cả tàu vũ trụ.