Công ty SK hynix dự kiến ​​sẽ cho ra mắt thế hệ tiếp theo của Memory Ram DDR6 và GDDR7 sau năm 2028

[trungthuc]

Các công ty sản xuất bộ nhớ đã tiết lộ ra về bộ nhớ hệ thống DDR6 trong nhiều năm qua, nhưng theo lộ trình mới từ SK Hynix cho thấy kỹ thuật mới này có thể sẽ không xuất hiện ra cho đến cuối thập kỷ này. Bên cạnh các kỹ thuật có liên quan như LPDDR6, DRAM 3D và thế hệ kế nhiệm GDDR7, Memory Ram DDR6 được kỳ vọng sẽ mang lại những sự cải tiến đáng kể về tốc độ và năng suất bộ nhớ so với các tiêu chuẩn hiện nay.

SK Hynix vừa cho công bố lộ trình mới, phác thảo các kỹ thuật về bộ nhớ mới sắp cho ra mắt của mình. Mặc dù không cung cấp các chi tiết về thông số kỹ thuật, nhưng biểu đồ cho thấy kế hoạch của công ty trong việc giới thiệu DDR6, thế hệ kế nhiệm của GDDR7, và các tiêu chuẩn thế hệ tiếp theo khác vào năm 2031.

Lộ trình này, được phát hiện ra lần đầu từ @harukaze5719, được cho là đã được cho trình bày ra tại Hội nghị Thượng đỉnh AI SK 2025 tại Seoul, trong khuôn khổ của bài phát biểu quan trọng về AI Next của Chủ tịch Tập đoàn SK, Anthony Chey. Tại sự kiện này, SK Hynix đã nhấn mạnh đến cách thức mà các giao thức bộ nhớ và lưu trữ trong tương lai sẽ cho phép các thiết bị thế hệ tiếp theo đáp ứng nhu cầu năng suất AI ngày càng tăng.




(Minh họa)
Lộ trình này chia các lĩnh vực phần cứng khác nhau ra thành hai cột, một cột bao gồm giai đoạn 2026–2028 và cột còn lại dự kiến ​​sẽ cho ra mắt từ năm 2029 đến năm 2031. SK Hynix dự kiến ​​sẽ cho triển khai các kỹ thuật mới như HBM4, HBM4E và LPDDR6 bắt đầu từ năm sau và tiếp tục ra mắt cho đến năm 2028. Trong khi đó, HBM5, HBM5E, DDR6 và DRAM 3D dự kiến ​​sẽ cho ra mắt trong khoảng thời gian từ năm 2029 đến năm 2031.

(Minh họa)
Công ty này cũng liệt kê ra một sản phẩm có nhãn "GDDR7-Next" trong danh mục bộ nhớ tiêu chuẩn cho khung thời gian sau, cùng với DDR6 và DRAM 3D. Trong khi các thế hệ GDDR trước đó có các phiên bản nâng cao như GDDR6X, thì thế hệ kế nhiệm GDDR7 của SK Hynix nhiều khả năng sẽ mang tên GDDR8.

Các báo cáo trước đó cho rằng các công ty sản xuất có thể bắt đầu giới thiệu bộ nhớ DDR6 sớm nhất là vào năm 2027. Tiêu chuẩn bộ nhớ thế hệ tiếp theo này dự kiến ​​sẽ tăng lên gấp đôi tốc độ căn bản của DDR5, từ 8.800 megatransfer mỗi giây (MT/giây) lên 17.600 MT/giây. Về mặt lý thuyết, các mô-đun được ép xung có thể đẩy năng suất lên cao hơn nữa, có khả năng đạt đến 21.000 MT/giây. Kiến trúc đa kênh mới cũng sẽ cho tăng băng thông so với DDR5.

Lộ trình của SK Hynix tiếp tục thiết kế ra SSD PCIe 7.0 vào khung thời gian cho ra mắt phù hợp với mốc thời gian hiện tại của Nhóm Lợi ích Đặc biệt PCI (PCI Special Interest Group) cho giao thức này.

Các SSD PCIe 5.0 nhanh nhất hiện nay có thể đạt tốc độ đọc khoảng 14 GB/giây, trong khi các nguyên mẫu PCIe 6.0 ban đầu đã tăng hơn gấp đôi con số đó, vượt quá 30 GB/giây. Các thiết bị PCIe 7.0, dự kiến ​​sẽ tham gia chương trình tuân thủ chính thức vào năm 2028, một lần nữa có thể tăng gấp đôi năng suất. Trong khi đó, bản dự thảo về thông số kỹ thuật cuối cùng cho PCIe 8.0 có thể sẽ ra mắt trong khoảng thời gian tương tự.